Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +16 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 | |
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