Infineon HEXFET IRF7821TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 12,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +155 °C
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Infineon HEXFET IRF7821TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET IRF7821TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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