onsemi FDMS86181 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 124 A 125 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 12 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.85mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi FDMS86181 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 124 A 125 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi FDMS86181 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 124 A 125 W, 8-Pin PQFN8 | |
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