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STMicroelectronics MDmesh STW19NM50N N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin TO-247

About The : 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +150 °C

STMicroelectronics MDmesh STW19NM50N N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh STW19NM50N N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics MDmesh STW19NM50N N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin TO-247

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STMicroelectronics MDmesh STW19NM50N N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin TO-247
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