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Infineon HEXFET IRF1310NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.Infineon HEXFET IRF1310NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF1310NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF1310NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET IRF1310NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET IRF1310NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220AB
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