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Taiwan Semiconductor TSM025 TSM650N15CR MOSFET 150 V / 24 A, 8-Pin PDFN56

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Taiwan Semiconductor TSM025 TSM650N15CR MOSFET 150 V / 24 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM025 TSM650N15CR MOSFET 150 V / 24 A, 8-Pin PDFN56

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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM025 TSM650N15CR MOSFET 150 V / 24 A, 8-Pin PDFN56

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