Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 MW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
Specifications of Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 MW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN | |
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