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Onsemi PowerTrench SI4435DY P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The 2V, Höhe: 1.onsemi PowerTrench SI4435DY P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

onsemi PowerTrench SI4435DY P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.57mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench SI4435DY P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Onsemi PowerTrench SI4435DY P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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