Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 330 NH 150mA Mit Keramik-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm, 350MHz

Name: Wurth Elektronik: Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 330 NH 150mA Mit Keramik-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm, 350MHz
Brand: Wurth Elektronik
SKU: ABDV-162768
Price: 44.92 EUR
Availability: InStock

About The 8Ω, Abmessungen: 1.8 x 0

Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 330 nH 150mA mit Keramik-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm, 350MHz, Gleichstromwiderstand max.: 2.8Ω, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 744786233A

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TDK-Lambda DTM65-D Steckernetzteil 65W, 100 → 240V ac, 19V dc / 3.6A Medizin-Zulassung, Adaptertyp: Trafo-Netzadapter, Steckertyp: C14, Ausgangsspannung: 19V dc, Temperatur max.: +60°C, Ausgangsanschluss: KPPx-4P, Kabellänge: 1.05m, Medizintechnische Zulassung: Ja, Wirkungsgrad: 89%, Tiefe: 40mm, Energieeffizienzklasse: VI, Länge: 132mm, MPN: DTM-65PW-190-D

onsemi Komparator LM2901VDR2G, CMOS, TTL 1.3μs 4-Kanal SOIC 14-Pin 3 → 36 V, Komparator-Typ: Universal, Montage-Typ: SMD, Stromversorgungs-Typ: Dual, Single, Antwortzeit: 1.3µs, Abmessungen: 8.75 x 4 x 1.5mm, Länge: 8.75mm, Breite: 4mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C

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Specifications of Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 330 NH 150mA Mit Keramik-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm, 350MHz
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Last Updated January 13th, 2025 04:56 am

Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 330 NH 150mA Mit Keramik-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm, 350MHz

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Legrand Starfix Aderendhülsen bis 1.5mm², Stift ø 2mm, Schwarz, Polyamid, 8mm, 14.5mm, Isoliert, MPN: 0 376 64

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onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C

onsemi QFET FQB4N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263).

RS PRO LDPE Laborflasche 250ml, Ø 59mm Spritzflasche Enghalsig 59 (Dia.) x 145mm

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Vent-Axia Lüfter Motor-Baugruppe für -Produkte Serie TX, Zur Verwendung mit: Vent-Axia-Produkte Serie TX, MPN: 452586

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onsemi Komparator LM2901VDR2G, CMOS, TTL 1.