onsemi PowerTrench FDS6575 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Onsemi PowerTrench FDS6575 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Onsemi PowerTrench FDS6575 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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