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Onsemi PowerTrench FDS6575 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : +175 °C.: 0

onsemi PowerTrench FDS6575 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench FDS6575 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Onsemi PowerTrench FDS6575 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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