Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
About The Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 2
Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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