Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 100V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

Name: Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 100V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Switching, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert Nichtperiodisch: 30A, MPN: ES1B R3
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: ABDV-165431
Price: 221.34 EUR
Availability: InStock

About The Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 100V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Switching, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: ES1B R3

Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 100V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Switching, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 950mV, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: ES1B R3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schottky-Dioden und Gleichrichter

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Specifications of Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 100V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)
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Last Updated January 19th, 2025 03:12 pm

Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 100V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

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Bourns SDR0604 Drosselspule, 27 μH 1.3A mit Ferrit DR-Kern, 0604 Gehäuse 5.8mm / ±15%, 14MHz, Höhe: 4.8mm, Abmessungen: 5.8 x 4.8mm, Gleichstromwiderstand max.: 220mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, Qualitätsfaktor min.: 28, MPN: SDR0604-270YL

Bourns SDR0604 Drosselspule, 27 μH 1.3A mit Ferrit DR-Kern, 0604 Gehäuse 5.8mm / ±15%, 14MHz.

ams OSRAM OSRAM, TOPLED IR-Diode, PLCC 2 40mW, 860nm, 13mW/sr, ±60 °, 2-Pin, SMD, Abmessungen: 3 x 3.4 x 2.1mm, Linsenform: Rund, MPN: SFH 4253-R

ams OSRAM OSRAM, TOPLED IR-Diode, PLCC 2 40mW, 860nm, 13mW/sr, ±60 °, 2-Pin, SMD.

onsemi QFET FQPF19N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 19 A 43 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

onsemi QFET FQPF19N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 19 A 43 W, 3-Pin TO-220F.

Legrand Kunststoff Endkappe Weiß, passend für 50 x 180mm Kabelkanäle, MPN: 0 756 16

Legrand Kunststoff Endkappe Weiß, passend für 50 x 180mm Kabelkanäle.

Legrand Kunststoff Endkappe Weiß, passend für 50 x 180mm Kabelkanäle, MPN: 0 756 16

Legrand Kunststoff Endkappe Weiß, passend für 50 x 180mm Kabelkanäle.

Taiwan Semiconductor Taiwan SMD Diode, 100V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)

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Legrand Kunststoff Endkappe Weiß, passend für 50 x 180mm Kabelkanäle, MPN: 0 756 16

Legrand Kunststoff Endkappe Weiß, passend für 50 x 180mm Kabelkanäle, MPN: 0 756 16