Onsemi MJH11020G THT, NPN Transistor 250 V / 30 A 1 MHz, TO-218 3-Pin
About The : 200 V, Basis-Emitter Spannung max.: 4 V dc
onsemi MJH11020G THT, NPN Transistor 250 V / 30 A 1 MHz, TO-218 3-Pin, Verlustleistung max.: 150 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 200 V, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 4 V dc
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJH11020G THT, NPN Transistor 250 V / 30 A 1 MHz, TO-218 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJH11020G THT, NPN Transistor 250 V / 30 A 1 MHz, TO-218 3-Pin | |
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