onsemi FDPF2D3N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 222 A 45 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Onsemi FDPF2D3N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 222 A 45 W, 3-Pin TO-220F
Specifications of Onsemi FDPF2D3N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 222 A 45 W, 3-Pin TO-220F | |
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