Infineon DirectFET, HEXFET IRF6643TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH
About The Infineon DirectFET, HEXFET IRF6643TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH, Gehäusegröße: MZ, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 4
Infineon DirectFET, HEXFET IRF6643TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH, Gehäusegröße: MZ, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 34,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 0.59mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon DirectFET, HEXFET IRF6643TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH
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