Onsemi PowerTrench FDS89141 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 3,5 A 31 W, 8-Pin SOIC
About The : +150 °C.: 107 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
onsemi PowerTrench FDS89141 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 3,5 A 31 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 107 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDS89141 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 3,5 A 31 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDS89141 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 3,5 A 31 W, 8-Pin SOIC | |
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