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Taiwan Semiconductor Spannungsregler 250mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOT-89, 4-Pin, Fest

About The 002mA, Nennleistung: 0.6 x 1

Taiwan Semiconductor Spannungsregler 250mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOT-89, 4-Pin, Fest, Ausgangsspannung: 3,3 V, Line-Regulation: 0,3 %, Genauigkeit: ±2%, Load-Regulation: 80 mV, Montage-Typ: SMD, Polarität: Positiv, Ruhestrom: 0.002mA, Nennleistung: 0.5W, Abmessungen: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, MPN: TS9011SCY RM

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Spannungsregler

Taiwan Semiconductor Spannungsregler 250mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOT-89, 4-Pin, Fest

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Specifications of Taiwan Semiconductor Spannungsregler 250mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOT-89, 4-Pin, Fest

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Murata, GRM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 22μF ±20% / 25V dc, Gehäuse 1210 (3225M), Kapazität: 22µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.2 x 2.5 x 2.5mm, Länge: 3.2mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: GRM32ER61E226ME15L
    • RS PRO Kubisch Optischer Sensor, Polarisierte Retro-Reflexion, Bereich 3 m, NPN NONC Ausgang, Anschlusskabel,, Anschluss: 2 m Kabel, Schaltnetzteil: Hell-/dunkelschaltend, Gleichspannung max.: 30V, Anschlusstyp: M8-Steckverbinder, Lichtquelle: Rotes Licht, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 200 mA, Reaktionszeit: ≤1 ms, Gehäusematerial: PC+ABS;Filter: PMMA, Betriebstemperatur max.: +55°C, Betriebstemperatur min.: -25°C
    • STMicroelectronics SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 100V / 15A, 3-Pin DPAK (TO-252), Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 75A, MPN: STPS15H100CB
    • Murata LQW15A Drosselspule, 2,5 nH 850mA mit Ferrit-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.5nH, 15GHz, Tiefe: 0.6mm, Höhe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.6 x 0.5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 50mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: LQW15AN2N5D00D
    • Murata LQW15A Drosselspule, 2,5 nH 850mA mit Ferrit-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.5nH, 15GHz, Tiefe: 0.6mm, Höhe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.6 x 0.5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 50mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: LQW15AN2N5D00D