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Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 MA, 6-Pin SOT-363

About The .: 2,6 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 MA, 6-Pin SOT-363

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Specifications of Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 MA, 6-Pin SOT-363

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Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 MA, 6-Pin SOT-363
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RS PRO Blind Niet, Ø 10.9mm x 18.5mm, Grau, Stahl, M8, 11mm, min.

RS PRO Blind Niet, Ø 10.9mm x 18.5mm, Grau, Stahl, M8, 11mm, min.

3mm, max. 5mm.5mm, Finish: Glatt 3mm, max. RS PRO Blind Niet, Ø 10.

    • Deutsch HDP Automotive, Kfz-Steckverbinder, Steckergehäuse, Stecker, 23-polig, Blau, Ø49.53mm, Schutzart: IP 67, Breite: 42.55mm, Betriebstemperatur (max.): +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: HDP26-24-23SE-L017
    • Vishay Schaltdiode Einfach 8A 1 Element/Chip SMD 600V TO-252AA 3 + Tab-Pin, Diodenkapazität max.: 7pF, Betriebstemperatur min.: –65 °C, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Länge: 6.73mm, Breite: 6.22mm, Höhe: 2.26mm, Abmessungen: 6.73 x 6.22 x 2.26mm, MPN: VS-8EWX06FN-M3
    • Kraus & Naimer Trennschalter 4P-polig 25A Schwarz IP 66 5,5kW 690V 3-phasig Schließer, Leistung: 5,5 kW, 7,5kW, Nennspannung: 690 V, 380 → 415V, Vorhängeschlossoption: Ja, Länge: 250mm, Breite: 145mm, Tiefe: 107mm, Kontakt-Konfiguration: Einfach, MPN: KG20B T904/GBA014 *KL
    • RS PRO O-Ring EPDM, Innen-Ø 72.19mm / Außen-Ø 82.85mm, Stärke 5.33mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C
    • Vishay TrenchFET SI4497DY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 36 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0046 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
    • Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
    • RS PRO O-Ring EPDM, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 56mm, Stärke 3mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C
    • Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
    • RS PRO O-Ring EPDM, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 56mm, Stärke 3mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C