STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A, 4-Pin HiP247-4
About The : 0,07 Ω, Transistor-Werkstoff: SiC.STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A, 4-Pin HiP247-4, Drain-Source-Widerstand max
STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A, 4-Pin HiP247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,07 Ω, Transistor-Werkstoff: SiC
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A, 4-Pin HiP247-4
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Specifications of STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A, 4-Pin HiP247-4 | |
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