Infineon CoolMOS P7 IPA80R750P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP

Name: Infineon? Infineon CoolMOS P7 IPA80R750P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand Max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 3.5V
Brand: Infineon
SKU: ABDV-173587
Price: 17.09 EUR
Availability: InStock

About The : 3.5V

Infineon CoolMOS P7 IPA80R750P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

onsemi NVMFS6H801NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 166 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

TE Connectivity FASTON .110 Flachsteckhülse, Unisoliert, 2.79 x 0.51mm, Buchse, 0.5mm² - 1.3mm², 20AWG min, Maximale Drahtgröße (AWG): 16AWG, Anschlussart: Crimp, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Gesamtlänge: 0.635Zoll, MPN: 61400-1

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Specifications of Infineon CoolMOS P7 IPA80R750P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP
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Last Updated January 27th, 2025 06:54 pm

Infineon CoolMOS P7 IPA80R750P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP

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Microchip 1kB EEPROM-Chip, Seriell-SPI Interface, SOIC, 80ns SMD 128 x 8 bit, 128 x 8-Pin 8bit, MPN: AT25010B-SSHL-B

Microchip 1kB EEPROM-Chip, Seriell-SPI Interface, SOIC, 80ns SMD 128 x 8 bit, 128 x 8-Pin 8bit.

Infineon PFC-Controller 100 kHz 680μA Quelle -6μA max. -435 mA

-435 mA, Anlaufstrom: 680µA, Quellenstrom max.

Samtec ESW Leiterplattenbuchse Gerade 3-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Typ: Platine-Platine, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, MPN: ESW-103-12-T-S

54mm.Samtec ESW Leiterplattenbuchse Gerade 3-polig / 1-reihig, Raster 2.

Infineon CoolMOS P7 IPD95R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 4 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V

Infineon CoolMOS P7 IPD95R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 4 A, 3-Pin TO-252.

Infineon CoolMOS P7 IPD95R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 4 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V

Infineon CoolMOS P7 IPD95R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 4 A, 3-Pin TO-252.

Infineon CoolMOS P7 IPA80R750P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP

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Infineon CoolMOS P7 IPD95R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 4 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V

Infineon CoolMOS P7 IPD95R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 4 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V