Vishay EF SIHH070N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 36 A., 4-Pin PowerPAK 8 X 8
About The : 5V.: 0,071 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay EF SIHH070N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 36 A., 4-Pin PowerPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,071 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay EF SIHH070N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 36 A., 4-Pin PowerPAK 8 X 8
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Specifications of Vishay EF SIHH070N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 36 A., 4-Pin PowerPAK 8 X 8 | |
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