STMicroelectronics STO67N60DM6 STO67N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 59 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 25V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STO67N60DM6 STO67N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics STO67N60DM6 STO67N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A, 3-Pin TO-220 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |