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Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 201 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

About The : 2.: 0,00074 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 201 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00074 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 201 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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Specifications of Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 201 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 201 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
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