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Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : +150 °C.Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Panasonic ERJT14,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 39Ω ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJT14J39RU
    • ERKO Kreissägeblatt, Schnittlänge 4110mm / 4/6 TPI, Stück für Schneiden, Sägeblattart: Bandsägeblatt, Materialien geschnitten: Aluminium, Edelstahl, Stahl, MPN: 49600124110
    • Siemens Software, TIA-Portal Macintosh, Windows SIMATIC WinCC Advanced V18, MPN: 6AV21020AA000UA0

    Siemens Software, TIA-Portal Macintosh, Windows SIMATIC WinCC Advanced V18, MPN: 6AV21020AA000UA0

    Siemens Software, TIA-Portal Macintosh, Windows SIMATIC WinCC Advanced V18.

    • SMC C85 Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 25mm / Hub 25mm, bis 1 MPa, Ausführung: Zweifach, Länge: 162mm, Endlagendämpfung: Gummi, Abmessungen: 33.5 (Dia.) x 162mm, Absoluter Druck (max.): 1.5MPa, Durchmesser: 33.5mm, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Betriebstemperatur (min.): -10°C, Gewicht: 258g, MPN: CD85N25-25-B
    • Infineon HEXFET IRFH5006TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 4,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Fluke Speicher Handheld Oszilloskop 2-Kanal Analog 100MHz, Digital/Analog: Digital, Oszilloskop-Form: Digitaler Speicher, Oszilloskop Typ: Tragbar, Serie: Series III, MPN: FLUKE-190-102-III-S
    • Panasonic ERJU Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJU08F3303V
    • Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Panasonic ERJU Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJU08F3303V
    • Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C