Infineon HEXFET IRFH5006TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 4,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon HEXFET IRFH5006TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 X 6
Specifications of Infineon HEXFET IRFH5006TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 X 6 | |
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