onsemi FCH125N65S3R0-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi FCH125N65S3R0-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Onsemi FCH125N65S3R0-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-247 | |
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