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ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung

About The ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung, MPN: RFN3BGE2STL

ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung, MPN: RFN3BGE2STL

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schaltdioden

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Specifications of ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung

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Lapp UNITRONIC LiYCY Datenkabel, 3-adrig x 1,5 mm2 Grau, 100m, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt, Mantelmaterial: PVC, MPN: 0034903
    • STMicroelectronics TRIAC 12A D2PAK SMD Gate Trigger 0.9V 35mA, 700V 3-Pin, MPN: ACST1210-7G
    • ROHM IGBT / 30 A ±30V max., 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N, Konfiguration: Single, MPN: RGS30TSX2DHRC11
    • RS PRO O-Ring Nitril, Innen-Ø 4.359Zoll / Außen-Ø 117.78mm, Stärke 0.139Zoll, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +90°C
    • Panasonic P5KS Leiterplattenbuchse 100-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Typ: Steckschlüssel-Einsatz, Montagetyp: Oberflächenmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 16A, Betriebsspannung: 60 V ac/dc, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, MPN: AXK5S00347YG
    • TE Connectivity Rundsteckverbinderkontakt Buchse Größe 2.5mm / 40A, für Crimp, 0,5 → 1 mm², Länge: 20.7mm, Kontaktbeschichtung: Zinn, Kontaktmaterial: Kupfer-Nickel-Silizium, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur (max.): +130°C, Montagetyp: Kabelmontage, MPN: 962981-1
    • ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung, MPN: RFN3BGE2STL

    ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung, MPN: RFN3BGE2STL

    ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung.

    • Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 1812 (4532M), MPN: CS1812KKX7R0BB105

    Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 1812 (4532M), MPN: CS1812KKX7R0BB105

    Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 1812 (4532M).

    • ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung, MPN: RFN3BGE2STL

    ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung, MPN: RFN3BGE2STL

    ROHM Diode Einfach 300mA 1 Element/Chip SMD 200V To-252GE 3-Pin Siliziumverbindung.

    • Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 1812 (4532M), MPN: CS1812KKX7R0BB105

    Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 1812 (4532M), MPN: CS1812KKX7R0BB105

    Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 1812 (4532M).