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ROHM HP8S36 HP8S36TB N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 27 A, 80 A 22 W, 29 W, 8-Pin HSOP8

About The : 2.: 13,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

ROHM HP8S36 HP8S36TB N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 27 A, 80 A 22 W, 29 W, 8-Pin HSOP8, Drain-Source-Widerstand max.: 13,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: ±128 V, ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM HP8S36 HP8S36TB N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 27 A, 80 A 22 W, 29 W, 8-Pin HSOP8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of ROHM HP8S36 HP8S36TB N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 27 A, 80 A 22 W, 29 W, 8-Pin HSOP8

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