Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23
About The 5V.Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0,188 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23 | |
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