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Semikron IGBT-Modul / 314 A ±20V Max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

About The ., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal, Konfiguration: Zweifach-Halbbrücke, Montage-Typ: Tafelmontage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 106

Semikron IGBT-Modul / 314 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal, Konfiguration: Zweifach-Halbbrücke, Montage-Typ: Tafelmontage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 106.4 x 61.4 x 30mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Breite: 61.4mm, MPN: SKM200GB12E4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Semikron IGBT-Modul / 314 A ±20V Max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

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Specifications of Semikron IGBT-Modul / 314 A ±20V Max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

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