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Vishay TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23

About The Vishay TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 3V

Vishay TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0,138 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23

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