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Infineon HEXFET IRF8788TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The 35V, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRF8788TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF8788TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 3,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 1.5mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF8788TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF8788TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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