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Vishay TrenchFET SI1034CX-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 MA, 6-Pin SC-89-6

About The .: 0,396 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET SI1034CX-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 mA, 6-Pin SC-89-6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,396 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SI1034CX-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 MA, 6-Pin SC-89-6

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Specifications of Vishay TrenchFET SI1034CX-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 MA, 6-Pin SC-89-6

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Vishay TrenchFET SI1034CX-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 MA, 6-Pin SC-89-6
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Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
    • RS PRO Edelstahl Klemmenkasten IP66, BxTxH 200mm x 200mm x 80mm, Abmessungen (L x B x H): 200 x 200 x 80mm, Farbe: Unlackiert
    • Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V
    • Vishay TrenchFET SI4459ADY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 29 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0077 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
    • SMC ASD R1/4 Außengewinde Durchflussregler, Rohr-Ø 6mm 1MPa, Typ: Durchflusssteuerung, Eingangsanschluss Typ: Mit Gewinde, Ausgangsanschluss - Typ: Gewinde, Rohr, Ausgangsdruck (min.): 0.1MPa, Gewinde-Einlassanschluss-Gewinde Größe: 1/4", MPN: ASD430F-02-06S
    • Infineon 700V CoolMOS™ P7 IPAN70R900P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 700V CoolMOS™ P7 IPAN70R900P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 700V CoolMOS™ P7 IPAN70R900P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP.

    • Infineon 700V CoolMOS™ P7 IPA70R750P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • Vishay TrenchFET SI1034CX-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 mA, 6-Pin SC-89-6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,396 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V
    • Infineon 700V CoolMOS™ P7 IPA70R750P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6,5 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • Vishay TrenchFET SI1034CX-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 mA, 6-Pin SC-89-6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,396 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V