SMC ASD R1/4 Außengewinde Durchflussregler, Rohr-Ø 6mm 1MPa

About The ): 0.1MPa, Gewinde-Einlassanschluss-Gewinde Größe: 1/4", MPN: ASD430F-02-06S

SMC ASD R1/4 Außengewinde Durchflussregler, Rohr-Ø 6mm 1MPa, Typ: Durchflusssteuerung, Eingangsanschluss Typ: Mit Gewinde, Ausgangsanschluss - Typ: Gewinde, Rohr, Ausgangsdruck (min.): 0.1MPa, Gewinde-Einlassanschluss-Gewinde Größe: 1/4", MPN: ASD430F-02-06S

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Pneumatik und Hydraulik > Pneumatische Verbinder & Leitungen und Schläuche > Pneumatische Funktionsanschlüsse

Infineon 700V CoolMOS™ P7 IPAN70R900P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin TO-220 FP

Vishay TrenchFET SI4459ADY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 29 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0077 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V

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Specifications of SMC ASD R1/4 Außengewinde Durchflussregler, Rohr-Ø 6mm 1MPa
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Last Updated January 23rd, 2025 03:34 am

SMC ASD R1/4 Außengewinde Durchflussregler, Rohr-Ø 6mm 1MPa

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Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R900P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R900P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252).

Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252).

RS PRO Edelstahl Klemmenkasten IP66, BxTxH 200mm x 200mm x 80mm, Abmessungen (L x B x H): 200 x 200 x 80mm, Farbe: Unlackiert

RS PRO Edelstahl Klemmenkasten IP66, BxTxH 200mm x 200mm x 80mm.

Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V

Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8.

Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V

Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8.

SMC ASD R1/4 Außengewinde Durchflussregler, Rohr-Ø 6mm 1MPa

About The ): 0.1MPa, Gewinde-Einlassanschluss-Gewinde Größe: 1/4", MPN: ASD430F-02-06S

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Specifications of SMC ASD R1/4 Außengewinde Durchflussregler, Rohr-Ø 6mm 1MPa

Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R900P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

RS PRO Edelstahl Klemmenkasten IP66, BxTxH 200mm x 200mm x 80mm, Abmessungen (L x B x H): 200 x 200 x 80mm, Farbe: Unlackiert

Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V

Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V