Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Name: Infineon? Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand Max.: 0,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 2.2V, Anzahl Der Elemente Pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
Brand: Infineon
SKU: ABDV-183287
Price: 13.02 EUR
Availability: InStock

About The : 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R900P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Last Updated January 3rd, 2025 01:51 am

Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon CoolMOS™ IPN80R3K3P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,9 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 3.3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon CoolMOS™ IPN80R3K3P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,9 A, 3-Pin SOT-223.

METCASE Aluminium Frontplatte 6U x 84TE, 392.5 x 111mm, Grau, Länge: 392.5mm, MPN: M5900030

5 x 111mm, Grau.

Coba Europe Fingertip Flurmatte für Innen-/Außenbereich, Gummi Schwarz, Stärke 11mm, 0.8m x 1m, Oberflächentyp: Gummi-Schaber, Dicke: 11 mm-13mm, Anti-Rutsch: Ja, Anwendung: Tür, Eingang, MPN: FT010002

Coba Europe Fingertip Flurmatte für Innen-/Außenbereich, Gummi Schwarz, Stärke 11mm, 0.

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPL60R285P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,285 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPL60R285P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8.

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPL60R285P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,285 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPL60R285P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8.

Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 IPD25N06S4L30ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Infineon CoolMOS™ IPN80R3K3P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,9 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 3.3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

METCASE Aluminium Frontplatte 6U x 84TE, 392.5 x 111mm, Grau, Länge: 392.5mm, MPN: M5900030

Coba Europe Fingertip Flurmatte für Innen-/Außenbereich, Gummi Schwarz, Stärke 11mm, 0.8m x 1m, Oberflächentyp: Gummi-Schaber, Dicke: 11 mm-13mm, Anti-Rutsch: Ja, Anwendung: Tür, Eingang, MPN: FT010002

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPL60R285P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,285 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPL60R285P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,285 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si