Infineon CoolMOS™ IPN80R3K3P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,9 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 3.3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ IPN80R3K3P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,9 A, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon CoolMOS™ IPN80R3K3P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,9 A, 3-Pin SOT-223 | |
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