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Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 46 mΩ, 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF ±20% / 35V dc, Ø 8mm x 11mm, bis 105°C

RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF ±20% / 35V dc, Ø 8mm x 11mm, bis 105°C

x 11mm, Betriebstemperatur min.RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF ±20% / 35V dc, Ø 8mm x 11mm, bis 105°C, Kapazität: 100µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 8 Dia.5mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: 2 μA, Brummstrom: 450mA, Verlustleistungsfaktor: 12%.: +105°C, Anschlussraster: 3.

    • KOA RK73H Dickschicht SMD-Widerstand 30Ω ±1% / 0.5W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RK73H2ETTD30R0F
    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 22Ω ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE0722RL

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 22Ω ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE0722RL

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 22Ω ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse.

    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 27kΩ ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE0727KL
    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE072K2L

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE072K2L

    05W, 0603 (1608M) Gehäuse.2kΩ ±1% / 0.Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 2.

    • SKF Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 52mm, Aussen ø 68mm, 8mm, Typ: Radiale Wellendichtung, MPN: 52X68X8 HMS5 RG
    • Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 46 mΩ, 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
    • JST SUR Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 2-polig / 1-reihig, Raster 0.8mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: PCB, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Nennstrom: 200.0mA, Anschlagstiftlänge: 0.45mm, Betriebsspannung: 30,0 V, MPN: SM02B-SURS-TF (LF)(SN)
    • Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 46 mΩ, 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
    • JST SUR Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 2-polig / 1-reihig, Raster 0.8mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: PCB, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Nennstrom: 200.0mA, Anschlagstiftlänge: 0.45mm, Betriebsspannung: 30,0 V, MPN: SM02B-SURS-TF (LF)(SN)