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3M 3770 Flachbandkabel, 20-adrig, Raster 1.27mm Nicht Abgeschlossen 25,4 Mm

About The 27mm Nicht abgeschlossen 25,4 mm, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt, AWG: 26 AWG, Litzentyp: Litze, Betriebstemperatur max.3M 3770 Flachbandkabel, 20-adrig, Raster 1

3M 3770 Flachbandkabel, 20-adrig, Raster 1.27mm Nicht abgeschlossen 25,4 mm, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt, AWG: 26 AWG, Litzentyp: Litze, Betriebstemperatur max.: +105°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, Mantelfarbe: Grau, Betriebsspannung: 300 V, Kapazität: 42.98pF/m, MPN: 3770/20-100

Elektromechanik & Automation und Kabel > Kabel und Drähte > Platinen-Verbindungskabel und Flachbandkabel > Flachbandkabel

3M 3770 Flachbandkabel, 20-adrig, Raster 1.27mm Nicht Abgeschlossen 25,4 Mm

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Specifications of 3M 3770 Flachbandkabel, 20-adrig, Raster 1.27mm Nicht Abgeschlossen 25,4 Mm

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Samtec TSM Stiftleiste Vertikal, 24-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt, Montagetyp: SMD, MPN: TSM-112-01-T-DV

Samtec TSM Stiftleiste Vertikal, 24-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt, Montagetyp: SMD, MPN: TSM-112-01-T-DV

54mm, Nicht ummantelt.Samtec TSM Stiftleiste Vertikal, 24-polig / 2-reihig, Raster 2.

    • Nisshinbo Micro Devices Klasse A-B Audio Verstärker Audio 1-Kanal Mono VSP 0.25W 8-Pin +85 °C, Anwendung: Lautsprecher, Montage-Typ: SMD, Versorgungsspannung einzeln typ.: 3, 5 V, Stromversorgungs-Typ: Single, Eingangssignal-Typ: Differential, Abmessungen: 2.9 x 2.8 x 1.1mm, Betriebstemperatur min.: -40 °C, MPN: NJM2149R-TE1
    • KOA Metallschicht Widerstand 220Ω ±1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MF1/4CC2200F
    • onsemi NTR5103NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 260 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.6V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.9V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi NTR5103NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 260 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.6V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.9V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C