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Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V Max. Dual, 1200 V 20 MW, 7-Pin 62 Mm N-Kanal

About The Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal, Konfiguration: Common Emitter, Transistor-Konfiguration: Single & Common Emitter, MPN: FF600R12KE4EBOSA1

Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal, Konfiguration: Common Emitter, Transistor-Konfiguration: Single & Common Emitter, MPN: FF600R12KE4EBOSA1 Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V Max. Dual, 1200 V 20 MW, 7-Pin 62 Mm N-Kanal

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Specifications of Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V Max. Dual, 1200 V 20 MW, 7-Pin 62 Mm N-Kanal

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Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V Max. Dual, 1200 V 20 MW, 7-Pin 62 Mm N-Kanal
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TE Connectivity Rundsteckverbinder-Dichtung Größe 9 für Steckverbinder MIL-DTL-38999 Ø 19.3mm Serie Kemtron 93, L., Länge: 24.51mm, Betriebstemperatur (max.): +160°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 2427982-1
    • Nichicon WG, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 10μF ±20% / 35V dc, Ø 5mm x 5.4mm, bis 105°C, Kapazität: 10µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 5 (Dia.) x 5.4mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: 3 μA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 95mA, MPN: UWG1V100MCL1GB
    • Wickmann Sicherung, nicht rückstellend 5A 125V Keramik FF 6.5mm 3.7mm 3.9mm, Ausschaltvermögen: 300 A @ 32 V dc, 50 A @ 125 V ac/dc, Minimale Betriebstemperatur: -55°C, Maximale Betriebstemperatur: +125°C, Serie: 157, Abmessungen: 6.5 x 3.7 x 3.9mm, Widerstand: 0.01Ω, Klemmenmaterial: Versilbert, MPN: 0157005.DR
    • DiodesZetex DMN6068LK3-13 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 8,49 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • DiodesZetex DMN6068LK3-13 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 8,49 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C