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Infineon OptiMOS BSC052N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

About The : 0,0052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.8V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon OptiMOS BSC052N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS BSC052N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

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Specifications of Infineon OptiMOS BSC052N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

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Infineon OptiMOS BSC052N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
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KOA RK73H Dickschicht SMD-Widerstand 390Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RK73H1JTTD3900F
    • KOA RK73H Dickschicht SMD-Widerstand 300Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RK73H1JTTD3000F
    • KOA RK73H Dickschicht SMD-Widerstand 51Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RK73H1JTTD51R0F
    • KOA RK73H Dickschicht SMD-Widerstand 12Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RK73H1JTTD12R0F
    • KOA RK73H Dickschicht SMD-Widerstand 12Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RK73H1JTTD12R0F