Vishay TrenchFET SQD50P06-15L_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,02 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
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Vishay TrenchFET SQD50P06-15L_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Vishay TrenchFET SQD50P06-15L_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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