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Infineon HEXFET IRF7201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : -20 V, +20 V, Höhe: 1.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRF7201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF7201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF7201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET IRF7201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Phoenix Contact Kontakteinsatz, HC-B 16-I-PT-M-32 Serie, 16P + E, Nennstrom: 16A, Betriebsspannung: 500 V, Kontakt-Format: 16P+E, MPN: 1407734
    • Socomec FUSERBLOC Klemmenabdeckungen für Trennschalter, Zur Verwendung mit: Sicherungskombination FUSERBLOC, Bereich: 3999, MPN: 39998039
    • Sick BEF Montagehalterung für Sensor MPA, Zur Verwendung mit: Sensor SICK MPA, Anwendung: Halterung für niedrige Montage, Material: Edelstahl, MPN: 2065973
    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 33.2kΩ ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE0733K2L

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 33.2kΩ ±1% / 0.05W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603FRE0733K2L

    Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 33.05W, 0603 (1608M) Gehäuse.2kΩ ±1% / 0.

    • Socomec FUSERBLOC Hilfskontakt 2-polig 3999, Schließer/Öffner DIN-Schiene 32 A, MPN: 39990002

    Socomec FUSERBLOC Hilfskontakt 2-polig 3999, Schließer/Öffner DIN-Schiene 32 A, MPN: 39990002

    Socomec FUSERBLOC Hilfskontakt 2-polig 3999, Schließer/Öffner DIN-Schiene 32 A.

    • CTS Serie 74X Widerstands-Array, 4 x 10Ω, 0.063W ±5%, Bauform 0402 (1005M), Anschlussart: Konkav, Gehäuseform: Spritzgegossen, Leistung je Widerstand: 0.062W, Schaltungsbezeichnung: ISOL, Länge: 2mm, Tiefe: 1mm, Höhe: 0.375mm, Abmessungen: 2 x 1 x 0.375mm, Anzahl der Anschlüsse: 8, MPN: 741C083100JP
    • XP Power IA DC/DC-Wandler 1W 5 V dc IN, ±5V dc OUT / ±100mA 1kV dc isoliert, Ausgangsspannung: ±5V dc, Eingangsspannung: 4,5 → 5,5 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Anzahl der Ausgänge: 2, Gehäuse: DIP, Isolationsspannung: 1kV dc, Tiefe: 6.35mm, Länge: 20.32mm, Breite: 10.16mm, Lastausregelung: Maximum of 10%, MPN: IA0505D
    • Infineon HEXFET IRF7201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
    • XP Power IA DC/DC-Wandler 1W 5 V dc IN, ±5V dc OUT / ±100mA 1kV dc isoliert, Ausgangsspannung: ±5V dc, Eingangsspannung: 4,5 → 5,5 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Anzahl der Ausgänge: 2, Gehäuse: DIP, Isolationsspannung: 1kV dc, Tiefe: 6.35mm, Länge: 20.32mm, Breite: 10.16mm, Lastausregelung: Maximum of 10%, MPN: IA0505D
    • Infineon HEXFET IRF7201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm