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Onsemi PowerTrench FDC655BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,3 A 1,6 W, 6-Pin SSOT-6

About The .: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

onsemi PowerTrench FDC655BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,3 A 1,6 W, 6-Pin SSOT-6, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench FDC655BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,3 A 1,6 W, 6-Pin SSOT-6

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Specifications of Onsemi PowerTrench FDC655BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,3 A 1,6 W, 6-Pin SSOT-6

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