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ROHM RTF025N03TL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 800 MW, 3-Pin TSMT-3

About The : 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.1mm, Betriebstemperatur max

ROHM RTF025N03TL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 800 mW, 3-Pin TSMT-3, Drain-Source-Widerstand max.: 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 12 V, Länge: 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM RTF025N03TL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 800 MW, 3-Pin TSMT-3

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Specifications of ROHM RTF025N03TL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 800 MW, 3-Pin TSMT-3

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