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Nexperia BSH205G2 BSH205G2R P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 6,25 W, 3-Pin SOT-23

About The : –8 V, +8 V, Automobilstandard: AEC-Q101.: 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Nexperia BSH205G2 BSH205G2R P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 6,25 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.95V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.45V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Automobilstandard: AEC-Q101

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Nexperia BSH205G2 BSH205G2R P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 6,25 W, 3-Pin SOT-23

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