EPCOS SIMID SMD Induktivität, 68 μH 180mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 10MHz, Tiefe: 2.5mm, Höhe: 2.2mm, Abmessungen: 3.2 x 2.5 x 2.2mm, Gleichstromwiderstand max.: 3.4Ω, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82422H1683K000
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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 68 μH 180mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 10MHz
Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 68 μH 180mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 10MHz | |
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