IXYS HiperFET, X2-Class IXFA22N65X2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 22 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 145 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.41mm, Betriebstemperatur max
IXYS HiperFET, X2-Class IXFA22N65X2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 22 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 145 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, X2-Class IXFA22N65X2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 22 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of IXYS HiperFET, X2-Class IXFA22N65X2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 22 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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