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Infineon IMZ1 IMZ120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 4-Pin TO-247-4

About The : 4.: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon IMZ1 IMZ120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon IMZ1 IMZ120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 4-Pin TO-247-4

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Specifications of Infineon IMZ1 IMZ120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 4-Pin TO-247-4

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