Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Pinanzahl: 7 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 2,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 9.65mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
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