Infineon HEXFET IRFS4020TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRFS4020TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET IRFS4020TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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